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英特尔公布技术线路图:抛弃纳米制程叫法 启动芯片代工办事

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 楼主| 文嘉颖 发表于 2021-10-20 15:44:44 | 显示全部楼层 |阅读模式 打印 上一主题 下一主题
英特尔公布了公司有史以来最具体的制程工艺和封装技术线路图。

除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构 RibbonFET 和业界首个全新的后背电能传输收集 PowerVia 之外,英特尔还重点先容了敏捷采用下一代极紫外光刻(EUV)技术的计划,即高数值孔径(High-NA)EUV。



英特尔客岁推出的 10nm SuperFin 节点,实现了英特尔有史以来最为强大的单节点内性能增强,现在已经起头多量量生产。这一命名不会变动。

从英特尔下一个节点(之前被称作 Enhanced SuperFin)Intel 7 起头,英特尔后续节点将被命名为 Intel 4、Intel 3 和 Intel 20A。最初这个命名反应了摩尔定律仍在延续生效。

英特尔技术专家详述了以下线路图,其中包括新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术:

1、基于 FinFET 晶体管优化,Intel 7 与英特尔 10nm SuperFin 相比,每瓦性能将提升约 10%-15%。明年推出的 Alder Lake 客户端产物将采用 Intel 7 工艺,随后是面向数据中心的 Sapphire Rapids 估计将于 2022 年第一季度投产。Ponte Vecchio GPU 也将采用 Intel 7 工艺,于 2022 年头上市,其中集成了基片(base tiles)和 Rambo 缓存晶片(Rambo cache tiles)。

2、Intel 4 完全采用 EUV 光刻技术,可利用超短波长的光,刻印极细小的图样,每瓦性能约提升 20%。Intel 4 将在 2022 年下半年投产,并于 2023 年出货,产物包括面向客户真个 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。

上个季度 Meteor Lake 客户端计较晶片的 tape in,是一个重要的里程碑,Intel 4 也是英特尔首个完全采用 EUV 技术的制程节点。



3、Intel 3 较 Intel 4 将在每瓦性能上提升约 18%,在芯全面积上有额外改良,得益于 FinFET 的优化和在更多工序中增加对 EUV 利用。Intel 3 将于 2023 年下半年起头用于相关产物生产。

4、Intel 20A 将凭仗 RibbonFET 和 PowerVia 两大冲破性技术开启埃米时代。Intel 20A 估计将在 2024 年推出。英特尔在 Intel 20A 制程工艺技术上与高通公司停止合作。



两大创新技术中,PowerVia 是英特尔独占的、业界首个后背电能传输收集,经过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

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